一种平板式PECVD设备腔体充气装置
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摘要
本实用新型公开了一种平板式PECVD设备腔体充气装置，包括腔体、及与腔体铰接的腔盖，还包括上充气组件和/或下充气组件，上充气组件包括设于腔盖上的上充气接头及设于腔盖内表面的上填充块，上填充块的上表面设有上导流槽，上充气接头与上导流槽连通，上导流槽配设有多个上出气口，多个上出气口分设于腔盖的四周；所述下充气组件包括设于腔体底部的下充气接头及设于腔体内的下填充块，所述下填充块的下表面设有下导流槽，所述下充气接头与下导流槽连通，所述下导流槽配设有多个下出气口，多个所述下出气口分设于所述腔体的四周。本实用新型具有结构简单、有利于防止工件受到冲击而碎裂等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种平板式PECVD设备腔体充气装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920798608.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN210341061U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
唐电陈国钦杨彬苏卫中郭立许烁烁
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请人地址 ：
湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
代理机构 ：
湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
周长清
优先权 ：
CN201920798608.1
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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