一种设置有内框斜面避空结构的石墨舟片
授权
摘要
本实用新型公开了一种设置有内框斜面避空结构的石墨舟片，包括石墨舟片本体、硅片安装内框，所述硅片安装内框并排设置，均匀设置有多个；所述硅片安装内框呈方形结构，设置有框边、框底，在框边上开设有斜面；本实用新型通过在硅片安装内框的框边上设置斜面，通过斜面避空，有效降低了接触面积，从而减少了划伤和内框印记的产生，保护了硅片，延长其使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种设置有内框斜面避空结构的石墨舟片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920799837.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-30
授权号 ：
CN209896034U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
余波郑方渊张华冯晓倩
申请人 ：
上海弘竣新能源材料有限公司
申请人地址 ：
上海市青浦区华新镇华腾路1288号1幢4层I区438室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920799837.5
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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