一种双气源晶体生长炉自动化充气系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种双气源晶体生长炉自动化充气系统，包括晶体生长炉（1），它还包括第一气源支路（2）、第二气源支路（3）、电磁换向阀（4）、换气支路（5）以及处理器（9），电磁换向阀（4）和电动截止阀（10）同时动作实现第一气源支路（2）与第一单向气路的通断以及第二气源支路（3）与第二单向气路的通断，电动截止阀（10）为常闭阀。本实用新型根据晶体生长炉内的气体压力，通过电磁换向阀和电动截止阀同时动作实现第一气源支路与第一单向气路的通断以及第二气源支路与第二单向气路的通断，提高了晶体生长炉充气的自动化程度，实现不同气源之间的自动切换，降低了对不同晶体生长的影响，提高了晶体生长的一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种双气源晶体生长炉自动化充气系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920803682.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-30
授权号 ：
CN210420252U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
刘刚
申请人 ：
成都晶九科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区高新西区西区大道199号B1幢
代理机构 ：
成都厚为专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
夏柯双
优先权 ：
CN201920803682.8
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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