加料装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种加料装置，涉及硅料加工技术领域，主要目的是提供一种能够在加料时防止原料碰撞石墨导流筒的加料装置。本实用新型的主要技术方案为：一种加料装置，包括：装载部，装载部的两端具有进料口和出料口；封闭部，第一封闭门设置在出料口，并且转动连接于装载部，第二封闭门设置在出料口，并且转动连接于装载部，固定件连接于控制杆，第一连接部件的一端转动连接于第一封闭门，另一端转动连接于固定件，第二连接部件的一端转动连接于第二封闭门，另一端转动连接于固定件，控制杆滑动连接于装载部，用于带动开合机构朝向或者远离出料口的方向移动，使第一封闭门和第二封闭门打开或者封闭出料口。本实用新型主要用于硅料加工。
基本信息
专利标题 ：
加料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920807641.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN210122597U
授权日 ：
2020-03-03
发明人 ：
邹昌盛汪奇马南邨马新成陈龑
申请人 ：
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县工业园区A区
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN201920807641.6
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2020-03-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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