一种扬声器的超薄磁路结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种扬声器的超薄磁路结构，包括U型轭体和由下往上设置于U型轭体内的主磁体、华司和亚磁体，所述华司顶部设有沉台，所述亚磁体固定于华司顶部的沉台内。所述沉台包括中间凹陷部和两侧限位部，所述亚磁体位于沉台的中间凹陷部内，亚磁体由沉台的两侧限位部限位，本实用新型扬声器的超薄磁路结构通过在华司顶部设置沉台，亚磁体固定于华司顶部的沉台内，压缩磁路空间、降低磁路结构高度，同时提高亚磁体的同心度，提升磁饱和度，优化防磁性能。
基本信息
专利标题 ：
一种扬声器的超薄磁路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920854741.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-08
授权号 ：
CN210129951U
授权日 ：
2020-03-06
发明人 ：
申国平刘涛
申请人 ：
惠州市音博仕科技有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区陈江五一荷树光村(厂房)
代理机构 ：
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 ：
肖力军
优先权 ：
CN201920854741.4
主分类号 ：
H04R9/06
IPC分类号 ：
H04R9/06 H04R9/02
法律状态
2020-03-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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