一种MQW结构InGaN蓝光探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种MQW结构InGaN蓝光探测器，包括图形化蓝宝石衬底、非故意掺杂GaN缓冲层、N型重掺杂GaN欧姆接触层、InGaN/GaN多量子阱MQW吸收层、P型掺杂GaN欧姆接触层、P型欧姆接触电极、介质钝化层、N型欧姆接触电极和P型接触Pad电极。本实用新型的优点在于采用InGaN和GaN交替生长的MQW吸收层结构设计，避免了传统PIN结构蓝光探测器高In组分InGaN材料易析出且较难生长的难题，且制作工艺简单与目前的LED工艺兼容。
基本信息
专利标题 ：
一种MQW结构InGaN蓝光探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920907832.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-17
授权号 ：
CN210092101U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
杨国锋周东渠凯军
申请人 ：
南京紫科光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁高新园天元东路1009号
代理机构 ：
合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈少丽
优先权 ：
CN201920907832.X
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0304 H01L31/105 B82Y40/00
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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