一种多量子阱蓝光探测器
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摘要
本实用新型公开了一种多量子阱蓝光探测器，所述探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、GaN/InGaN多量子阱层和金属层电极，缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，GaN/InGaN多量子阱层为在缓冲层上依次交替生长的GaN层和InGaN层，交替生长的周期为6~8，GaN层的厚度为12~15 nm，InGaN层的厚度为3~5nm。通过优化探测器件的芯片参数，提升了蓝光波段的量子效率；在探测芯片表面进行蓝光增敏微纳结构设计，有效降低表面对蓝光的反射损耗，增强蓝光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。
基本信息
专利标题 ：
一种多量子阱蓝光探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921226071.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210607284U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
王文樑李国强孔德麒杨昱辉
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN201921226071.8
主分类号 ：
H01L31/0304
IPC分类号 ：
H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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