结合嵌入电极与钝化层结构的InGaN/GaN多量子阱蓝光...
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摘要
本发明公开了一种结合嵌入电极与钝化层结构的InGaN/GaN多量子阱蓝光探测器及其制备方法与应用；所述探测器由下至上依次包括：Si衬底、AlN/AlGaN/GaN缓冲层、u‑GaN/AlN/u‑GaN/SiNx/u‑GaN缓冲层、n‑GaN缓冲层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层；多量子阱层具有凹槽结构，多量子阱层的台面及凹槽有Si3N4钝化层，所述钝化层的凹槽内有第一金属层电极，其截面为半圆形，所述钝化层的台面有第二金属层电极。此制备方法工艺简单、省时高效。本发明将钝化层与嵌入电极结构结合使用可大幅提升器件性能，器件具有外量子效率高、响应度高、暗电流低等优点。
基本信息
专利标题 ：
结合嵌入电极与钝化层结构的InGaN/GaN多量子阱蓝光探测器及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113224193A
申请号 ：
CN202110390252.X
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2021-04-12
授权号 ：
CN113224193B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
王文樑李国强苏柏煜林正梁孔德麒麦文锦
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN202110390252.X
主分类号 ：
H01L31/101
IPC分类号 ：
H01L31/101 H01L31/0352 H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/101
申请日 : 20210412
申请日 : 20210412
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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