蓝光半导体器件及其制备方法
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摘要
本发明涉及蓝光半导体器件及其制备方法，其包括图形化蓝宝石衬底，设置于衬底表面的外延叠层，外延叠层包含靠近衬底的n型层、有源层和远离衬底的p型层，外延叠层具有一刻蚀台阶，刻蚀台阶沿着p型层刻蚀至n型层；周期层叠设置的金属/石墨烯复合透明电极层设置于p型层的表面，设置于n型层表面的n电极和设置于p型层表面的p电极；钝化层包裹外延叠层、复合透明电极层、n电极和p电极，DBR层设置于钝化层表面，保护层设置于DBR层表面；焊球分别连接n电极、p电极至基板。本发明提供的器件结构及其制备方法提升了器件的出光效率、降低了结温和空洞率，且该器件的热稳定性好，长时间可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
蓝光半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113066910A
申请号 ：
CN202110299546.1
公开（公告）日 ：
2021-07-02
申请日 ：
2021-03-22
授权号 ：
CN113066910B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
孙慧卿杨亚峰彭麟杰苏哈郭志友
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区中山大道西55号
代理机构 ：
佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
耿鹏
优先权 ：
CN202110299546.1
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/42 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20210322
申请日 : 20210322
2021-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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