光学挡墙结构
授权
摘要
本实用新型提供一种光学挡墙结构，其包括一基板、一第一挡墙层及一第二挡墙层，基板具有一工作面，第一挡墙层形成于工作面上，且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗；第二挡墙层形成于第一挡墙层上，且第二挡墙层围构一第二开窗，第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层，且第二开窗的轮廓大于第一开窗。
基本信息
专利标题 ：
光学挡墙结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920950088.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN209963020U
授权日 ：
2020-01-17
发明人 ：
李蕙如
申请人 ：
培英半导体有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市林口区
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭化雨
优先权 ：
CN201920950088.1
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/308 H01L31/02 H01L31/0203 H01L31/12 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2020-01-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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