本实用新型提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片，包括：衬底，且所述衬底中形成有凹槽结构；若干个微柱结构，形成于所述衬底上并位于所述凹槽结构中，所述微柱结构包括依次连接的第一延伸部、连接部以及第二延伸部，所述第一延伸部、所述连接部及所述第二延伸部围成一具有开口的空间区域，且相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；至少两个微流控端口，形成于所述衬底中，并与所述凹槽结构相连通；以及盖板，形成于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，并至少覆盖所述凹槽结构。本实用新型可以获得大表面积，使得流场均匀分布，延长气体流路路径，而提高吸附材料的均匀性，提高吸附气体的富集率，提高基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的富集率。