X波段大功率内匹配功率管
授权
摘要
本实用新型涉及微波功率器件技术领域，特别是一种X波段大功率内匹配功率管，包括GaN HEMT，所述GaN HEMT一侧通过输入预匹配网络与输入功分器相连接，所述输入功分器与输入阻抗相连接；所述GaN HEMT另一侧通过输出预分配网络与输出功分器相连接，所述输出功分器与输出阻抗相连接。采用上述结构后，本实用新型具有以下优点：1、输出功率大，功率增益高；2、附加效率高；3、工艺参数可控。
基本信息
专利标题 ：
X波段大功率内匹配功率管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920962706.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-25
授权号 ：
CN209823715U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
田锋强盛
申请人 ：
南京芯云电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区大周路88号科创园C3栋607室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920962706.4
主分类号 ：
H03F3/213
IPC分类号 ：
H03F3/213 H03F1/56 H03F1/02
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法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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