一种具有弧形增透作用的光电探测器结构
授权
摘要
本实用新型为一种具有弧形增透作用的光电探测器结构。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构为弧形、叠弧形或凹凸形。本实用新型制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步增强透光率的同时，降低器件自热效应，改善量子效率。
基本信息
专利标题 ：
一种具有弧形增透作用的光电探测器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920993742.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN209880636U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
张紫辉寇建权张勇辉周幸叶冯志红
申请人 ：
河北工业大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
代理机构 ：
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵凤英
优先权 ：
CN201920993742.7
主分类号 ：
H01L31/103
IPC分类号 ：
H01L31/103 H01L31/0236
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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