一种过热保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种过热保护电路，该电路包括启动电路、负温度系数电压产生电路、正温度系数电压产生电路、比较器和反馈迟滞控制电路；本实用新型为CMOS工艺兼容的过热保护电路，利用三极管基极‑发射极正向导通‑1.5mV/℃的负温特性电压和热电压+0.087mV/℃的正温度特性电压进行比较，热保护电路的两个比较电压无需不具温度系数的基准电压产生电路，可节省芯片面积；负温特性电压和正温特性电压进行比较来监测芯片结温，其温度系数的差值绝对值相比较单一温度系数的电压较大，可实现减小比较器随机漂移的有益效果，即对于电压比较器存在的失调电压来说，可以减小结温监测的随机漂移，提高过热保护温度的一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种过热保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921006651.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-01
授权号 ：
CN209844537U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
刘玉山张梁堂刘玉龙
申请人 ：
厦门顺福芯科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市湖里区港中路1728号302室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921006651.6
主分类号 ：
H02H5/04
IPC分类号 ：
H02H5/04
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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