一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器
授权
摘要
本实用新型提供了一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器，包括绝缘基体、引脚、膜层、封装涂层，所述绝缘基体两端均设有一根引脚，所述绝缘基体表面覆盖有膜层，所述膜层切割成螺纹状，所述绝缘基体和膜层表面密封覆盖有封装涂层，本实用新型的有益效果在于：本产品结构简单合理，使用厚度不小于12um的镍、铬金属膜层，改善膜层硬度及熔点，提高抗脉冲能力，抗脉冲能力过1.5KV以上，TCR值能做到±50PPM。
基本信息
专利标题 ：
一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921054216.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-08
授权号 ：
CN210778079U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
朱丰韩秀芬彭金
申请人 ：
河源市新格瑞特电子有限公司;深圳市格瑞特电子有限公司
申请人地址 ：
广东省河源市高新技术开发区兴业大道西边科六路北边厂房B、C栋
代理机构 ：
北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张利
优先权 ：
CN201921054216.0
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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