一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器，包括基座和设置在基座上的检测台，所述基座为长方体结构且上表面设有检测台，所述检测台的一端为弧形且上表面开设有旋转槽，所述旋转槽的内部活动连接有旋转杆，所述旋转杆远离旋转槽的一端开设有滑槽，所述滑槽内部通过销轴活动连接有连接座，所述连接座上焊接有伸缩套，所述伸缩套远离连接座的一端活动连接有伸缩杆，所述伸缩杆的底部活动连接有夹持座，所述旋转杆的旁侧开设有检测槽，所述检测槽的内壁上对称开设有活动槽，所述活动槽的内部活动连接有检测块，所述检测槽的内部开设有收缩槽。该高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器，稳定效果好，便于使用。
基本信息
专利标题 ：
一种高抗浪涌、脉冲的膜式熔断电阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022157544.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
CN213337859U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
豆春龙
申请人 ：
深圳市鸿瀚世纪科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道凤凰社区腾丰五路2号C栋201E
代理机构 ：
深圳知帮办专利代理有限公司
代理人 ：
刘瑞芳
优先权 ：
CN202022157544.2
主分类号 ：
G01R31/01
IPC分类号 ：
G01R31/01 G01R1/04 B07C5/344
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）
G01R31/01
对相似的物品依次进行测试，例如在成批生产中的“过端—不过端”测试；当物体通过测试台时对物体进行测试
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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