超深基坑的一桥四岛式出土运输结构
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摘要

本实用新型涉及一种超深基坑的一桥四岛式出土运输结构,超深基坑内设有至少两道支撑结构,所述支撑结构包括对撑和位于所述对撑两侧的环撑;所述出土运输结构包括:设于第二道对撑一端的第一栈桥平台和第二栈桥平台,设于所述第二道对撑的两侧并与对应的第二道环撑固定连接;斜向连接于第一道环撑与所述第一栈桥平台之间的第一栈桥;以及支设于所述超深基坑内的第一承托结构,所述第一承托结构顶部顶撑于所述第一栈桥。本实用新型的两个栈桥平台同时投入使用,可加快出土速率,并且借助第一栈桥而将第一栈桥平台和第二栈桥平台连通至地面,使得运输车辆可直接通行于地面和基坑开挖面之间,方便了土方的运输,加快了土方外运效率。

基本信息
专利标题 :
超深基坑的一桥四岛式出土运输结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921055431.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-08
授权号 :
CN210712853U
授权日 :
2020-06-09
发明人 :
王凯峰高辉杨红岩张连魁杨晨高丙山王海龙陈经纬李卓朋韩杨杨
申请人 :
中国建筑第八工程局有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区世纪大道1568号27层
代理机构 :
上海唯源专利代理有限公司
代理人 :
宋小光
优先权 :
CN201921055431.2
主分类号 :
E02D17/02
IPC分类号 :
E02D17/02  E02D17/04  E02D17/00  
相关图片
IPC结构图谱
E
E部——固定建筑物
E02
水利工程;基础;疏浚
E02D
基础;挖方;填方;地下或水下结构物
E02D17/00
挖方;挖方边缘的修砌;填方
E02D17/02
基础坑
法律状态
2020-06-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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