一种局部背场TOPCon太阳能电池
授权
摘要
本实用新型涉及一种局部背场TOPCon太阳能电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的正表面从内到外包括p+掺杂区域和正面钝化减反膜，背表面从内到外包括局部隧穿氧化层、局部多晶硅层、以及背面钝化膜；N型晶体硅基体的正面钝化减反膜上印刷有正面主栅和正面副栅，背面钝化膜上印刷有背面主栅和背面副栅；其中，背面副栅落在多晶硅层区域内。其有益效果是：本实用新型的背表面非金属接触区未掺杂以及金属接触区钝化接触结构带来的低复合，使得本实用新型的局部背场TOPCon太阳能电池的总复合电流密度仅为58fA/cm2，相较于均匀背表面掺杂的常规N型PERT电池，复合电流密度有显著降低，因此，本实用新型能够将开路电压从681.5mV大幅提升至701.1mV，转换效率从22.2％提高到22.83％。
基本信息
专利标题 ：
一种局部背场TOPCon太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921087230.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN209981229U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
林建伟季根华陈嘉刘志锋张付特
申请人 ：
苏州中来光伏新材股份有限公司;泰州中来光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市沙家浜镇常昆工业园区青年路
代理机构 ：
北京金之桥知识产权代理有限公司
代理人 ：
李托弟
优先权 ：
CN201921087230.0
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0236 H01L31/0224 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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