一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池
授权
摘要
本实用新型公开了一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，涉及太阳电池技术领域，本实用新型包括n型硅衬底，n型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层，n型硅衬底底部嵌设有若干条磷源掺杂层，磷源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层，本实用新型提高了n型双面太阳电池的背面电池的开路电压，降低串联电阻提高填充因子，在不降低正面效率的情况下，提高电池双面率。
基本信息
专利标题 ：
一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921960928.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-14
授权号 ：
CN210805782U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
王璞吴俊旻谢毅张鹏王岚
申请人 ：
通威太阳能(眉山)有限公司
申请人地址 ：
四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄蓉蓉
优先权 ：
CN201921960928.9
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0236 H01L31/0224 H01L31/06 H01L31/18
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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