一种多瓣石墨坩埚
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种多瓣石墨坩埚，包括多块相同的瓣体，多块所述瓣体两两相连构成埚体，并且相邻的两块瓣体之间形成有接缝，所述石墨坩埚的接缝处嵌入有保护垫，所述保护垫设置在石墨坩埚底部边缘的圆角处。本实用新型实施例通过在石墨坩埚的接缝内，位于底部上容易发生断裂的圆角处嵌入保护垫片，使得石墨坩埚在高温工作时原本会经过整个接缝处的气体被阻挡在保护垫片上，从而让坩埚在使用后不会整个接缝边缘都发生氧化(仅保护垫片内侧会有氧化现象)，从而在保证热场能够正常运作的基础上，有效解决石墨坩埚在高温下与硅蒸气、氧化硅气体等发生氧化反应使得外石墨坩埚的接缝边缘部位损耗严重，影响坩埚的使用寿命的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种多瓣石墨坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921092566.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN210237842U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
小仓浩昭黄建明朱林杰詹国彬
申请人 ：
上海东洋炭素有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区新飞路486号
代理机构 ：
北京知呱呱知识产权代理有限公司
代理人 ：
苏利
优先权 ：
CN201921092566.6
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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