用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供了一种用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置,包括:第一管路组件、冷阱组件、动力设备、第一压差计和排放管路;第一管路组件包括第一管路和设置在第一管路上的阀门,第一管路的第一端与真空工艺腔室的出口相连,第一管路的第二端与冷阱组件的入口相连;排放管路与冷阱的出口相连通,动力设备设置在排放管路上;第一压差计的第一端与真空工艺腔室相连,第一压差计的第二端与第一管路相连。本实用新型的技术方案有效地解决了现有技术中的MOCVD在生产过程中管路堵塞不容易发现的问题。

基本信息
专利标题 :
用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921129451.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-18
授权号 :
CN210560747U
授权日 :
2020-05-19
发明人 :
张进秋赵青松梁旭张金斌
申请人 :
东泰高科装备科技有限公司
申请人地址 :
北京市昌平区科技园区中兴路10号A129-1室
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
张亚辉
优先权 :
CN201921129451.X
主分类号 :
C23C16/52
IPC分类号 :
C23C16/52  C30B25/16  G01L13/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/52
镀覆工艺的控制或调整
法律状态
2021-02-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/52
登记生效日 : 20210122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东泰高科装备科技有限公司
变更后权利人 : 紫石能源有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 102209 北京市昌平区科技园区中兴路10号A129-1室
变更后权利人 : 102208 北京市昌平区育知东路30号院1号楼6层3单元611
2020-05-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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