一种三磁铁磁路结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种三磁铁磁路结构，应用在霍尔传感器的磁路领域，解决了磁铁占用空间大、霍尔传感器的分辨率低的技术问题，其技术方案要点是一种三磁铁磁路结构，包括第一磁铁、第二磁铁、第三磁铁；所述第一磁铁、第二磁铁和第三磁铁按序设置于同一水平线上；所述第一磁铁和第三磁铁的充磁方向均为高度方向，第一磁铁和第三磁铁的极性相反；所述第二磁铁的充磁方向为长度方向，所述第二磁铁的N极朝向于第一磁铁和第三磁铁中N极朝上的一块磁铁；还包括磁敏元件，设置于第一磁铁、第二磁铁和第三磁铁上方。具有的技术效果是所需的安装空间小，同时提升霍尔传感器的分辨度。
基本信息
专利标题 ：
一种三磁铁磁路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921131329.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-18
授权号 ：
CN210486783U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
张济洲曹晨郭枫
申请人 ：
埃比电子传感器（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区华山路158-24号
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
俞光明
优先权 ：
CN201921131329.6
主分类号 ：
G01B7/30
IPC分类号 ：
G01B7/30 G01D5/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B7/30
•用于计量角度或锥度；用于检测轴线准直
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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