一种反激电路
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摘要
本实用新型涉及一种反激电路，Vin端口连接场效应管Q1的D极，场效应管Q1的S极并联吸收器和原边绕组T1后接输入地；辅助绕组T3和原边绕组T1同侧，辅助绕组T3的上部连接二极管一D1的正极，下部连接电容一C1后连接二极管一D1的负极，二极管一D1和电容一C1之间设置Vcc端口，电容一C1和辅助绕组T3之间接输入地；原边绕组T1的另一侧设置副边绕组T2，副边绕组T2的上部连接二极管二D2的正极，二极管二D2接电容二C2后，连接到副边绕组T2的下部，二极管二D2和电容二C2之间设置V0端口，副边绕组T2和电容二C2之间接输出地。本实用新型尤其适用于3kV以上高电压输入场合。
基本信息
专利标题 ：
一种反激电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921157738.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-23
授权号 ：
CN210246608U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
丛晓王国强沈澄云隋鲁波
申请人 ：
上海麟荣电子技术有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区枫泾镇环东一路65弄2号2213室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921157738.3
主分类号 ：
H02M3/335
IPC分类号 ：
H02M3/335
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法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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