一种密码芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种密码芯片，光刻蚀结构均由光刻蚀工艺而成，而在光刻蚀工艺中由于光学邻近效应会使得版图中的图形发生畸变。由于该预设版图经过光刻蚀所得到的光刻蚀结构的形貌会发生畸变，上述畸变具有较强的随机性，使得通过同一预设版图所光刻蚀出来的光刻蚀结构的形貌以及寄生电容值不尽相同。上述物理不可克隆函数电路可以生成对应上述各个光刻蚀结构的寄生电容值的密钥，当密码芯片受到侵入式攻击时，位于顶层金属层的光刻蚀结构会遭受破坏且无法通过其他手段恢复，从而造成物理不可克隆函数电路输出的密钥发生错误，使得有解密模块无法解密出存储模块中存储的密文，有效保护存储模块内存储信息的安全。
基本信息
专利标题 ：
一种密码芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921169834.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-23
授权号 ：
CN210272311U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
杨祎巍匡晓云林伟斌黄开天崔超
申请人 ：
南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
申请人地址 ：
广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王云晓
优先权 ：
CN201921169834.X
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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