一种高耐压高散热性能的SOI结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高耐压高散热性能的SOI结构。包括由上至下依次排列的顶层硅、复合绝缘层和背衬底，复合绝缘层主要由二氧化硅层、氮化硼层、氧化铪层和位于两侧的氟氧化硅层复合结构组成，顶层硅主要由第一硅片层组成，背衬底主要由硅层和第二硅片层组成；二氧化硅层上面布置为第一硅片层，二氧化硅层下表面中央为氮化硼层，氮化硼层下面布置为氧化铪层，氧化铪层下面布置为硅层，氮化硼层和氧化铪层两侧的二氧化硅层和硅层之间均布置有氟氧化硅层。本实用新型结构能帮助提高了器件的耐压性能，提高SOI的散热性能，同时提高SOI的绝缘性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高耐压高散热性能的SOI结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921196861.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN210245484U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
张亮汪小知曾翔宇
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林超
优先权 ：
CN201921196861.6
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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