一种热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片
授权
摘要
本实用新型涉及原位透射电镜领域，尤其涉及一种热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片。硅基片中部开设电子束透过窗口，氮化硅薄膜承载层设置于硅基片上表面中部，氮化硅薄膜承载层的两侧分别设置电场、偏压外场形成电极于硅基片上表面，两个电场、偏压外场形成电极分别通过线路连接电场、偏压外场电压接入电极，电场、偏压外场电压接入电极相对设置于硅基片上表面的一侧；氮化硅薄膜承载层的上表面设置双回字热场型芯片，双回字热场型芯片中的每个回字热场型芯片分别通过线路连接四线法接入电流电极。本实用新型的微区仿真环境外场芯片结构，采用薄膜承载结构与外场加载结构，实现微区热、电、偏压场的加载。
基本信息
专利标题 ：
一种热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921204657.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-29
授权号 ：
CN210167322U
授权日 ：
2020-03-20
发明人 ：
邰凯平康斯清童浩蔡颖锐张达运林冲蔡自彪
申请人 ：
中国科学院金属研究所;武汉嘉仪通科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张志伟
优先权 ：
CN201921204657.4
主分类号 ：
H01J37/20
IPC分类号 ：
H01J37/20 H01J37/26 G01N23/04 G01N23/20025
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/20
物体或材料的支承或定位装置；与支架相联的光阑或透镜的调整装置
法律状态
2020-03-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
