一种恒定电场应力偏压温度不稳定性的测试方法和装置
授权
摘要
本发明涉及一种恒定电场应力偏压温度不稳定性的测试方法和装置。所述方法包括:根据预设时长,对待测器件施加应力电压;在对所述待测器件施加应力电压过程结束后,对所述待测器件施加扫描电压,并实时采集所述待测器件的漏电流和所述扫描电压,根据所述扫描电压和所述漏电流确定所述待测器件的当前阈值电压;根据所述当前阈值电压以及初始阈值电压,确定所述待测器件的当前阈值漂移量;判断施加所述应力电压的次数是否达到预设次数;当判定施加所述应力电压的次数小于所述预设次数时,根据在所述当前阈值漂移量调整所述应力电压;对所述待测器件施加调整后的所述应力电压并维持所述预设时长,然后返回至对所述待测器件施加所述扫描电压的步骤。
基本信息
专利标题 :
一种恒定电场应力偏压温度不稳定性的测试方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110988639A
申请号 :
CN201911085878.9
公开(公告)日 :
2020-04-10
申请日 :
2019-11-08
授权号 :
CN110988639B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
高汭雷登云林晓玲章晓文贺致远陈义强
申请人 :
中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请人地址 :
广东省广州市天河区东莞庄路110号
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
石慧
优先权 :
CN201911085878.9
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-03 :
授权
2020-06-05 :
著录事项变更
IPC(主分类) : G01R 31/26
变更事项 : 申请人
变更前 : 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
变更后 : 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
变更事项 : 地址
变更前 : 510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号
变更后 : 511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
变更事项 : 申请人
变更前 : 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
变更后 : 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
变更事项 : 地址
变更前 : 510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号
变更后 : 511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
2020-05-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20191108
申请日 : 20191108
2020-04-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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