一种基于NMOS管的低端驱动输出短路保护电路
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摘要
本实用新型实施例涉及一种基于NMOS管的低端驱动输出短路保护电路，第一电阻R1的一端连接控制信号输入端，另一端连接第二三极管T2的基极；第二三极管T2的发射极接地，第二三极管T2的集电极串联第五采样电阻R9到第一三极管T1的基极；第一三极管T1的发射极接电源，第一三极管T1的集电极接第四采样电阻R8的一端；第四采样电阻R8的另一端与NMOS管Q1的栅极和第三三极管T3的集电极分别相接；第三三极管T3的发射极接地，第三三极管T3的基极串联所述第二电阻R2与NMOS管Q1的源极相连；第一采样电阻R5串联在NMOS管Q1的源极与地之间；NMOS管Q1的漏极串联负载接电源，且NMOS管Q1的漏极串联第二采样电阻R6到采集信号输出端；第三采样电阻R7串联在采集信号输出端与地之间。
基本信息
专利标题 ：
一种基于NMOS管的低端驱动输出短路保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921251790.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-02
授权号 ：
CN210517765U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
刘汝涛赵学峰刘渊霍舒豪张德兆王肖李晓飞张放
申请人 ：
北京智行者科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区回龙观镇东大街338号创客广场B4-006
代理机构 ：
北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴燕
优先权 ：
CN201921251790.5
主分类号 ：
H02H3/08
IPC分类号 ：
H02H3/08
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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