一种地磁全要素传感器
授权
摘要
本实用新型提供了一种地磁全要素传感器，包括：总场传感器、均匀磁场发生器、旋转底座和基座；均匀磁场发生器包括第一球体和第二球；所述第一球体和第二球体均内部中空，且同心设置；旋转底座为圆柱形筒体；一端相对的设置有第一连接杆和第二连接杆；第一连接杆和第二连接杆上均设有旋转孔；第一连接杆和第二连接杆之间设置有转动轴；转动轴一端插设在第一连接杆上的旋转孔内，另一端沿第一球体和第二球体的直径方向穿过第一球体和第二球体并插设在第二连接杆上的旋转孔内；总场传感器沿第二球体的直径方向设置于第二球体的圆心位置的转动轴上。本实用新型的有益效果是：本实用新型所提出的地磁全要素传感器能实现连续的高精度的地磁全要素测量。
基本信息
专利标题 ：
一种地磁全要素传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921276723.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-08
授权号 ：
CN210605014U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
葛健霍治帆董浩斌刘欢王洪鹏王文杰薛励玥
申请人 ：
中国地质大学（武汉）
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
代理机构 ：
武汉知产时代知识产权代理有限公司
代理人 ：
万文广
优先权 ：
CN201921276723.9
主分类号 ：
G01V3/40
IPC分类号 ：
G01V3/40
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01V
地球物理；重力测量；物质或物体的探测；示踪物
G01V3/00
电或磁的勘探或探测；；地磁场特性的测量；例如，磁偏角或磁偏差
G01V3/40
专用于测量地磁场的特性
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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