一种NB地磁传感器结构
授权
摘要
本实用新型涉及地磁传感器技术领域，特别涉及一种NB地磁传感器结构，包括：底外壳，设置有第一容置腔体；内壳，可拆卸套设于所述第一容置腔体内，其中，所述内壳上设置有第二容置腔体，且所述第二容置腔体的开口设置于所述内壳靠近底外壳底部的一端，所述开口处可拆卸设置有壳盖；以及安装支架，可拆卸设置于所述第二容置腔体内，且所述安装支架靠近所述壳盖的一端用于安装电池，所述安装支架远离所述壳盖的一端用于安装PCB板，其中，所述电池与所述PCB板连接，用于为所述PCB板供电。上述NB地磁传感器结构能够很好地提升防水效果，并且该结构的NB地磁传感器安装、拆卸、以及日常的维护也更加的方便。
基本信息
专利标题 ：
一种NB地磁传感器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121529337.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-06
授权号 ：
CN216449747U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
陈颖龙
申请人 ：
深圳市大域科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道凤凰社区兴业三路5号3栋207
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱远平
优先权 ：
CN202121529337.3
主分类号 ：
G01V3/40
IPC分类号 ：
G01V3/40
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01V
地球物理；重力测量；物质或物体的探测；示踪物
G01V3/00
电或磁的勘探或探测；；地磁场特性的测量；例如，磁偏角或磁偏差
G01V3/40
专用于测量地磁场的特性
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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