晶体管
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。晶体管中的栅极介质层具有上层部和下层部，并且上层部为叠层设置，从而可以在不改变下层部的厚度的基础上，增加上层部的厚度。如此，即能够在维持晶体管的性能的基础上，改善栅极感应漏电流(GIDL)现象；并且，本实用新型中是通过叠层设置以增加上层部的厚度，进而有利于实现对上层部的参数的灵活调整。
基本信息
专利标题 ：
晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921334581.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-16
授权号 ：
CN210296385U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
周仲彦陈志远
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201921334581.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
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法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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