过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑

授权

摘要

本申请提供了一种过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑，该过电压吸收电路可应用于单相Heric逆变拓扑中，该过电压吸收电路包括：钳位电容、吸收电阻、第一二极管和第二二极管；其中：钳位电容的一端和吸收电阻的一端，均与单相Heric逆变拓扑中的两横管的发射极相连；钳位电容的另一端和吸收电阻的另一端，均与第一二极管的一端和第二二极管的一端相连；第一二极管的另一端与两横管中的一个横管的集电极相连；第二二极管的另一端与两横管中的另一个横管的集电极相连。相较于现有的过电压吸收电路，本申请示出的电路的吸收效果大于吸收损耗，且不会出现电阻发热严重的现象，避免了因电阻发热严重导致的系统转换效率低的问题。

基本信息

专利标题：

过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921360218.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-21

授权号：

CN210608913U

授权日：

2020-05-22

发明人：

张鹏

申请人：

阳光电源（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路887弄78号4楼

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

钱娜

优先权：

CN201921360218.2

主分类号：

H02M1/32

IPC分类号：

H02M1/32