三电平逆变拓扑结构及其控制方法、单相及三相逆变电路
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摘要
一种三电平逆变拓扑结构及其控制方法、单相及三相逆变电路，其中，三电平逆变拓扑结构通过采用第一功率开关管、第二功率开关管、第三功率开关管、第一续流支路、第二续流支路以及第三续流支路，实现仅需三个功率开关管即可实现对直流电的逆变，相比于传统的三电平逆变拓扑结构减少了一个功率开关管，降低了三电平逆变拓扑结构的成本，解决了传统的三电平逆变拓扑结构存在的由于电路中所使用的功率开关管数量较多从而导致所产生的成本相对较高的问题。
基本信息
专利标题 ：
三电平逆变拓扑结构及其控制方法、单相及三相逆变电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112366971A
申请号 ：
CN202011205728.X
公开（公告）日 ：
2021-02-12
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN112366971B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
宋晨张旭
申请人 ：
深圳市英威腾电气股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区马田街道松白路英威腾光明科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
叶思
优先权 ：
CN202011205728.X
主分类号 ：
H02M7/537
IPC分类号 ：
H02M7/537 H02M1/088
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 7/537
申请日 : 20201102
申请日 : 20201102
2021-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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