一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路，属于电源装置技术领域，旨在解决现有全桥式电源电路存有剩磁积累，偏磁饱和的问题。它是由三相整流桥D1－3、功率场效应管Q1－4、变压器T、数字集成电路IC、电阻R1－7、电容C1－10、二极管D4－5和电抗器L连接组成的一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路。其结构新颖，能使功率变压器初始磁导始终不变，无偏磁饱和现象，体积小、重量轻，使用方便，适用于大功率充电电源、电镀电源、大功率电焊机电源等，有着广阔的推广应用前景。

基本信息

专利标题：

一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820004304.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-01-29

授权号：

CN201153242Y

授权日：

2008-11-19

发明人：

王广辉

申请人：

王广辉

申请人地址：

061001河北省沧州市运河区河西北街爱民路6－4

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200820004304.5

主分类号：

H02M3/335

IPC分类号：

H02M3/335 H02M7/5387 H02M1/40