一种全桥MOSFET高频逆变功率单元

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摘要

本实用新型公开了一种全桥MOSFET高频逆变功率单元，属于高频逆变功率单元技术领域。全桥MOSFET高频逆变功率单元的正极水冷板与负极水冷板之间设置有滤波电容和阻容吸收，滤波电容设置在PCB板上，滤波电容通过PCB板与正极水冷板和负极水冷板连接，PCB板上设置有通风孔。输入母线设置在正极水冷板和负极水冷板的中部，输入汇流排通过输入母线与正极水冷板和负极水冷板连接；正极水冷板及负极水冷板的上、下端部通过等位线连接。封板的中部设置有通风窗，通风窗上设置有绝缘的丝网。本实用新型采用上述结构的全桥MOSFET高频逆变功率单元，能够解决逆变功率单元滤波电容安装应力大、散热性差，MOSFET器件均流性差的问题。

基本信息

专利标题：

一种全桥MOSFET高频逆变功率单元

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021227979.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-29

授权号：

CN212115173U

授权日：

2020-12-08

发明人：

乔少颖刘欢

申请人：

保定三正电气设备有限公司

申请人地址：

河北省保定市朝阳北大街2258号东门

代理机构：

北京圣州专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

王振佳

优先权：

CN202021227979.3

主分类号：

H02M7/00

IPC分类号：

H02M7/00 H02M7/5387 H05K7/20