一种CMOS跨阻放大器
授权
摘要
本实用新型公开了一种CMOS跨阻放大器，包括反相放大电路和反馈电阻，反向放大电路包括输入端和输出端；反馈电阻耦接与反相放大电路的输入端和输出端之间；反向放大电路包括至少三个依次连接的放大单元，每一放大单元包括至少三个相互耦接的nFET，即输入信号接收部nFET、中间部nFET和直流信号接收部nFET，中间部nFET耦接于输入信号接收部nFET与直流信号接收部nFET之间的位置，输入信号接收部nFET和中间部nFET的公共连接端用于输出放大后的电压信号。本实用新型的CMOS跨阻放大器通过增设至少一个nFET，使每一级放大单元的工作电压占据供电电压的比例上升，提高了供电电压的资源利用率，同时也降低了供电电压的非必要能耗。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS跨阻放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921371152.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-22
授权号 ：
CN210609069U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
邹何洪
申请人 ：
杭州洪芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市江干区丁兰街道环丁路1428号1幢401-13室
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN201921371152.7
主分类号 ：
H03F1/02
IPC分类号 ：
H03F1/02 H03F1/42 H03F3/68 H03G3/30
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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