一种高Q谐振电感结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高Q谐振电感结构,涉及电子元器件技术领域,包括至少一个由导电段构成的线圈结构,所述导电段包括芯层以及套设于芯层外的至少一层导电层;芯层与所述导电层之间,或芯层与所述导电层以及相邻两层导电层之间填充有绝缘材料层。通过上述技术方案,电感导体截面至少由双层导体结构组成,导体间填充绝缘介质,阻断涡流路径,利用趋肤深度浪费的空间构成第二道或多道传导电流路径,增加有效电流传导面积,增加了电导率,减少了涡流损耗,进而提升电感线圈的Q值。
基本信息
专利标题 :
一种高Q谐振电感结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921396470.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-24
授权号 :
CN210325470U
授权日 :
2020-04-14
发明人 :
温海平梁远勇
申请人 :
上海鸿晔电子科技股份有限公司
申请人地址 :
上海市闵行区金都路4299号4幢201室
代理机构 :
北京维正专利代理有限公司
代理人 :
谢绪宁
优先权 :
CN201921396470.9
主分类号 :
H01F27/28
IPC分类号 :
H01F27/28 H01F27/32 H01F27/34
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F27/00
变压器或电感器的一般零部件
H01F27/28
线圈;绕组;导电连接
法律状态
2020-04-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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