一种交叉耦合滤波器
授权
摘要
本申请公开一种交叉耦合滤波器，包括介质谐振主体、至少四个调谐孔、至少一个容性耦合槽和至少一个感性耦合孔，其中，调谐孔、容性耦合槽和感性耦合孔均设置于介质谐振主体的同一表面上，调谐孔用于调整交叉耦合滤波器的频率，容性耦合槽设置在相邻的两个调谐孔之间，容性耦合槽在交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈十字形，用于形成电场为主的电容耦合，与电感耦合极性相反，产生带外零点增强抑制，感性耦合孔设置在相邻的两个调谐孔之间，感性耦合孔贯穿介质谐振主体，用于形成电感耦合，配合电容耦合，形成带外零点。本申请中的交叉耦合滤波器能够实现容性耦合，滤波抑制能力强，结构简单，易于加工成型，提高了可生产性。
基本信息
专利标题 ：
一种交叉耦合滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921412784.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-28
授权号 ：
CN210040477U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
卜伟龚红伟
申请人 ：
中兴通讯股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201921412784.3
主分类号 ：
H01P1/20
IPC分类号 ：
H01P1/20
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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