晶圆传送装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶圆传送装置，包括承载模块及设置于所述承载模块内的第一气路通道和第二气路通道，所述承载模块上设置有吸附腔，所述第一气路通道的一端连通所述吸附腔，另一端连接一真空泵，通过所述真空泵将所述吸附腔抽真空以吸附一晶圆；所述第二气路通道的一端连通所述吸附腔，另一端连通大气，通过所述第二气路通道对所述吸附腔泄压以释放所述晶圆。利用真空泵使得吸附腔内外产生压强差对晶圆进行吸附，同时，通过增加一个第二气路通道来平衡用吸附腔的内外大气压，避免了由于第一气路通道真空释放不彻底导致晶圆释放时产生拖拽或者弹跳的问题，提高了晶圆的良率，同时减少了人力的维护以及提高了晶圆传送装置的利用率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆传送装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921422999.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210110736U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
徐纯莫少文林晓瑜
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN201921422999.3
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677 H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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