集成的超长时间常数时间测量设备
授权
摘要
本实用新型的实施例涉及集成的超长时间常数时间测量设备。一种集成的超长时间常数时间测量设备包括串联连接的基本电容性元件。每个基本电容性元件由第一导电区域、介电层和第二导电区域的堆叠形成，介电层具有的厚度适合于允许电荷通过直接隧道效应流动。第一导电区域容纳在从半导体衬底的正面向下延伸到半导体衬底中的沟槽中。介电层位于半导体衬底的第一面上，特别是位于沟槽中的第一导电区域的一部分上。第二导电区域位于介电层上。
基本信息
专利标题 ：
集成的超长时间常数时间测量设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921427728.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN210897282U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
A·马扎基P·弗纳拉
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201921427728.7
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08 H01L29/94 H01L49/02 G04F10/10 G11C27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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