一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图
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摘要
本实用新型涉及一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图,适用于屏蔽栅MOSFET半导体光刻工艺,连接金属层通过沟道分割为屏蔽栅区域、屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅右侧区域;有源区沟槽层设有若干X方向有源区沟槽,上述X方向有源区沟槽横贯屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅区域、屏蔽栅右侧区域;栅极沟槽层设有若干栅极沟槽,上述栅极沟槽连贯横贯屏蔽栅区域的X方向有源区沟槽;上述屏蔽栅MOSFET版图还包括沟槽连接孔,上述沟槽连接孔连通屏蔽栅区域的X方向有源区沟槽和栅极沟槽,上述有源区沟槽层还设有若干Y方向有源区沟槽,上述Y方向有源区沟槽在屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅右侧区域和X方向有源区沟槽交叉。有益效果是屏蔽栅MOSFET半导体光刻工艺中防止晶圆翘曲。
基本信息
专利标题 :
一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921456755.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-04
授权号 :
CN210466002U
授权日 :
2020-05-05
发明人 :
陆怀谷
申请人 :
深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区49区河东商业城华创达文化科技产业园9栋(F座)2-6楼501
代理机构 :
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张宁展
优先权 :
CN201921456755.7
主分类号 :
G03F1/00
IPC分类号 :
G03F1/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
法律状态
2020-05-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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