一种可控阵列式场发射X射线源装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种可控阵列式场发射X射线源装置，包括封装在外壳内部的场发射电子源部分、X射线源部分以及在外壳外部的测量系统。场发射电子源部分包括阵列式阴极、载有用于控制阵列式阴极发射电子密度和区域的IC芯片的PCB板、网状栅极。PCB板正面设有若干金属凸点，阵列式阴极置于网状栅极的后方并通过金属凸点与PCB板电路相连。通过金属凸点与阵列式阴极相连接，增加了阵列式阴极的散热面积，提高了散热效率，保证了场发射电子源的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种可控阵列式场发射X射线源装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921457293.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN210110700U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
吴大军陈玉尧张向张磊钱斌
申请人 ：
常熟理工学院
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市常熟理工学院（东湖校区）
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴旭
优先权 ：
CN201921457293.0
主分类号 ：
H01J35/04
IPC分类号 ：
H01J35/04 H01J35/06 H01J35/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J35/00
X射线管
H01J35/02
零部件
H01J35/04
电极
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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