一种恒流器件
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摘要
一种恒流器件，属于半导体器件技术领域。本实用新型在P型衬底上通过扩散或外延的方式形成两个独立的第一N型区和第二N型区，并在第一N型区内设置第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区形成恒流二极管结构，在第二N型区内设置第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成纵向PNP三极管结构。恒流二极管的恒定电流为PNP三极管基区提供电流，使整个恒流器件总的输出电流变为传统恒流二极管的(1+β)倍，器件单位面积电流大幅提升，节约了芯片面积与成本；PNP三极管放大系数β的正温度系数补偿了恒流二极管恒定电流的负温度系数，提升器件温度稳定性；P型衬底采用轻掺杂材料时提高了PNP三极管与恒流二极管的击穿电压，拓宽了本实用新型的工作电压范围。
基本信息
专利标题 ：
一种恒流器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921473930.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-05
授权号 ：
CN210092081U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
乔明孟培培邓琪
申请人 ：
成都矽能科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
葛启函
优先权 ：
CN201921473930.3
主分类号 ：
H01L27/07
IPC分类号 ：
H01L27/07 H01L29/10 H01L29/78 H01L29/808 H01L21/8232
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
H01L27/07
有源区共用的组件
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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