三相可控硅整流控制器
授权
摘要
本实用新型公开了三相可控硅整流控制器，包括机箱箱体、电气元件和安装槽，所述机箱箱体左侧外壁螺纹连接有气孔套，所述气孔套内壁贴合有第一泡沫铜，所述机箱箱体内壁四周皆焊接有限位环，所述限位环正面设置有泡沫铜外壳，所述泡沫铜外壳内部填充有第二泡沫铜，所述泡沫铜外壳上下两端和限位环内部皆设置有转轴。本实用新型通过密封盒将电气元件安装接口包裹起来，并通过矩形滑槽上的线板将密封盒密封住，提高了可控硅整流控制器的使用寿命，同时通过气孔套上的第一泡沫铜将可控硅整流控制器的透气包裹住和并通过泡沫铜外壳内设置的第二泡沫铜，将可控硅整流控制器的缝隙封住，使得降低可控硅整流控制器空气的水分含量。
基本信息
专利标题 ：
三相可控硅整流控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921491903.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-09
授权号 ：
CN210273853U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
杨志杰
申请人 ：
杭州丰迪科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区良渚街道莫干山路2188号10幢
代理机构 ：
北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汪发成
优先权 ：
CN201921491903.9
主分类号 ：
H02M7/00
IPC分类号 ：
H02M7/00 B01D53/26
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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