一种反向导通场截止型IGBT
授权
摘要
本实用新型提供一种反向导通场截止型IGBT，包括衬底；衬底为P型衬底；P型衬底的背面设有集电极；P型衬底的正面设有电场终止层；电场终止层背离P型衬底的一面设有漂移区；漂移区内设有P型的场限环，场限环设有多个；场限环上设有场氧化层和氧化物介质层；P型衬底的正面还设有P阱，P阱内设有N型的发射极；氧化物介质层上覆盖设有钝化层。本实用新型提供的反向导通场截止型IGBT，在全面注入N型杂质后进行高温退火，从而加快导通以及降低压降；其次，采用高能电子束对晶圆进行辐照，引入晶格缺陷，降低漂移区的载流子寿命，当FRD从正偏改为反偏时，载流子的复合速度变快，从而提高了反向导通场截止型IGBT的开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种反向导通场截止型IGBT
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921512202.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN210073859U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
徐守一陈广乐蔡铭进
申请人 ：
厦门芯达茂微电子有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场北楼606、607、609室
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王春霞
优先权 ：
CN201921512202.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/331 H01L29/739
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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