反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
涉及反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法。提供避免制造成本的大幅增加，并且具有高闩锁耐量、低恢复损耗的反向导通型半导体装置。半导体基板(50)具有第1主面(F1)及第2主面(F2)。基极接触层(14)配置于基极层(15)和第1主面(F1)之间，构成第1主面(F1)的一部分。阳极接触区域(24)配置于阳极层(25)和第1主面(F1)之间，构成第1主面(F1)的一部分，阳极接触区域具有比阳极层(25)高的第2导电型杂质浓度峰值。阳极接触区域(24)包含第1阳极接触层(24b)，该第1阳极接触层具有比基极接触层(14)低的净浓度和比基极接触层(14)高的第1导电型杂质浓度。
基本信息
专利标题 ：
反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388610A
申请号 ：
CN202111202796.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西康一曾根田真也中谷贵洋
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111202796.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/739 H01L29/861 H01L27/07 H01L21/329 H01L21/331 H01L21/822
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211015
申请日 : 20211015
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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