晶圆弯曲度调整装置
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。如此，能够实现晶圆在某个特定方向上的弯曲度的调整。
基本信息
专利标题 ：
晶圆弯曲度调整装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921613723.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-25
授权号 ：
CN210349789U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
陈松超徐文浩宋月张高升
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
高洁
优先权 ：
CN201921613723.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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