一种晶圆弯曲度调整方法
授权
摘要
本发明提供了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：提供待处理晶圆；其中，所述待处理晶圆在第一区域的弯曲程度与所述待处理晶圆其它区域的弯曲程度不同；在所述待处理晶圆上形成第一材料层；至少对所述第一材料层对应所述第一区域的部分进行离子注入处理；在离子注入处理后，对第一材料层进行氧化处理，以在所述待处理晶圆表面形成对应所述第一区域与其它区域厚度分布不同的第二材料层。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆弯曲度调整方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112687524A
申请号 ：
CN202011564660.4
公开（公告）日 ：
2021-04-20
申请日 ：
2020-12-25
授权号 ：
CN112687524B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
刘修忠艾义明颜元於成星沈保家刘小辉
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
邵磊
优先权 ：
CN202011564660.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20201225
申请日 : 20201225
2021-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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