一种氮化镓微米线阵列光电探测器
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摘要
本实用新型公开了一种氮化镓微米线阵列光电探测器，该光电探测器包括：硅衬底、甲基氨基碘化铅层和电极；所述硅衬底的上表面形成有多个平行排列的凹槽；所述硅衬底的上表面的凸起部的表面覆盖有绝缘层；所述凹槽的两个内侧壁上分别外延生长有氮化镓微米线，所述氮化镓微米线的延伸方向与所述凹槽的延伸方向相同，所述氮化镓微米线形成平行的微米线阵列；所述电极设置在所述硅衬底的上表面，所述甲基氨基碘化铅层涂覆在所述硅衬底的上表面以覆盖所述电极以及氮化镓微米线进而形成双异质结。该光电探测器的暗电流低、响应速度快、开/关电流比高以及探测范围长，综合性能好，并且器件结构简单，易于制造。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓微米线阵列光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921617846.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-26
授权号 ：
CN210866245U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
高芳亮刘青李述体张柏林罗幸君孙一鸣施江
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区中山大道西55号
代理机构 ：
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
成婵娟
优先权 ：
CN201921617846.4
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/48 B81B1/00 B81C1/00
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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