本实用新型涉及电子元器件领域，尤其涉及一种衰减片，包括绝缘基板，设于绝缘基板背面用于接地的背导层，设于绝缘基板正面用于连接形成π型衰减电路的第一电阻、第二电阻、第三电阻及导线；第一电阻设于绝缘基板右上方，第三电阻设于右下方，第二电阻设于第一电阻和第三电阻左侧，且第二电阻面积最大，第三电阻面积最小；上述电阻呈矩形片状，且第一电阻的上端与第二电阻的右端电连接并将连接处作为衰减电路输入端，第一电阻的与第三电阻的左端连接并将连接处作为衰减电路输出端，第二电阻的左端和第三电阻的右端用于接地。本实用新型充分利用绝缘基板面积，使第一电阻与第二电阻获得更大布局面积，提高了衰减片的最大功率。